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    HSQ薄膜在化学机械研磨(CMP)上之应用研究-1- HSQ薄膜在化学机械研磨(CMP)上之应用研究 蔡宗鸣1 张鼎张2 刘柏村3 曾俊元1 1国立交通大学电子工程研究所 2 国立中山大学物理系 3国家毫微米元件实验室 (NSC90-2215-E-009-047 ) 摘要 这篇文章探讨低介电材料HSQ经化学机械研磨后(post-CMP)的特性.化学机械研磨(CMP)损坏HSQ的介电特性.我们提出用氨电浆来增进化学机械研磨后HSQ薄膜特性.相较於未经处理的HSQ,经氨电浆处理过后的HSQ,其漏电流以及介电系...

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